기본정보
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기술명: 형성 공정이 없는 초저전력 데이터 저장 애플리케이션을 위한 광매개 다중 레벨 플렉시블 구리 요오드화물 저항성 랜덤 액세스 메모리 소자 및 이의 제조방법
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발명자: 전자공학부 진성훈 교수
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출원번호: 10-2023-0110799
동영상 정보
인천대학교 산학협력단
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